| [ KAIST ] in KIDS 글 쓴 이(By): wolverin (GoBlue) 날 짜 (Date): 2004년 3월 13일 토요일 오후 01시 25분 12초 제 목(Title): Re: [q]poly-silicon 어떤 기판 위에 실리콘을 대충 대충 deposition하면 실리콘 다결정(poly)이 됩니다. 트랜지스터를 만들기 위해서는 실리콘 단결정이 필요하구요. 실리콘 단결정을 만들기 위해서는 여러 가지 신경을 많이 써야 합니다. 보통 Czochralski 방법에 의해 ingot을 만들고 톱(?)으로 썰어서 웨이퍼를 만들죠. 정리하면, 대충 대충 -> 다결정, 돈 많이 들여 조심 조심 -> 단결정. 실리콘 단결정인 웨이퍼 위에 트랜지스터를 만들 때 배선의 일부(MOSFET의 게이트)에 실리콘 다결정을 씁니다. 게이트는 공정 상 소스나 드레인 콘택 보다 먼저 만들어야 하는데, 만약 알루미늄으로 게이트를 만들면 이후의 공정에서 알루미늄의 녹는 점이 낮아 문제가 되거든요. 실리콘의 녹는 점이 더 높습니다. 여기까지는.. 아실지도 모르지만 혹시나 싶어 말씀드린 것이구요. 위에서 적은 바와 같이 실리콘을 대충 deposition하면 다결정입니다. 쉽게 만들 수 있지요. 거기다 도핑을 많이 하면 전기전도도가 높으니 배선으로 사용할 수 있습니다. 즉, 실리콘 웨이퍼(단결정)의 일부를 다결정으로 변환시키는 것이 아니라 게이트를 쉽게 만들기 위해 deposition으로 쌓아서 만드는 겁니다. 완전히 별개의 공정입니다. 정리하면, 단결정 -> 재료가 되는 기판, 다결정 -> 필요에 의해 deposition 공정을 통해 만듬. 참고로 Bipolar Transistor에서 이미터 콘택을 금속 대신 실리콘 다결정을 쓰면 이미터 주입효율이란 값이 좋아지는 이점이 있습니다. SiGe HBT에서 이미터 콘택을 금속 대신 실리콘 다결정을 씁니다. |