| [ KAIST ] in KIDS 글 쓴 이(By): caught (꿈의극장) 날 짜 (Date): 2002년 2월 1일 금요일 오후 12시 08분 24초 제 목(Title): Re: [퍼옴] 나까무라 슈우지의 '생각하는 � 작년 모토롤라 연구자들이 실리콘위에 GaAs를 증착한 연구결과가 있는데 두 물질간의 mismatch를 해소하기 위해 SrTiO3 박막을 buffer layer로 사용하였습니다. 예전부터 실리콘위에 GaAs를 증착하려고 많은 노력이 있어 왔는데 두 재료의 결정구조가 워낙 달라서 계면에 dislocation defect가 생성되어 소자동작에 큰 어려움이 있었다고 합니다. 근데 모토롤라의 어떤 연구자가 아이디어를 내서 SrTiO3 박막을 buffer로 채용하였더니 성공적으로 GaAs를 성장시킬 수 있었다고 합니다. SrTiO3 박막은 실리콘과 격자상수 차이가 2%정도밖에 안되기 때문에 스트레스를 완화시켜주고 결함밀도도 감소시켜주는 역할을 하겠지요. ~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~ Kill'em all in the name of justice. Kill'em all in the name of god! E-mail: kmbyun@bomun.kaist.ac.kr |