| [ KAIST ] in KIDS 글 쓴 이(By): sibi (away) 날 짜 (Date): 2002년 1월 31일 목요일 오전 02시 07분 04초 제 목(Title): Re: [퍼옴] 나까무라 슈우지의 '생각하는 � 토끼님 많이 아시는분이시군요. kaist 보드에 관심분야가 비슷한 분들이 많으면 많을수록 기분이 좋을꺼 같습니다. LT-GaN은 토끼님 말씀처럼 buffer라고 불리우는거 같습니다. p-type에 관한 문제를 조금 수정하겠습니다. GaN의 dislocation이외의 다른 문제점이 undoped의 경우 carrier concentration이 n-type으로 10^16-10^17입니다. 그다음으로 GaN같은 경우는 band gap이 큰 편이기 때문에. Mg같은 어느정도 deep level(180meV 정도)로 형성이 됩니다. 그래서 10^17정도의 carrier concentration을 만들기 위해 10^20정도를 doping 해야 하기 때문에 박막의 quality를 저하 시킬수 있습니다. 그리고 p-GaN 성장시 NH3에서의 H와 Mg이 결합해서.. Mg-H complex 형태로 되기 때문에..Mg이 p의 역활을 제대로 못합니다. 이점 때문에 p-GaN이 어려웠는데요.. 이점은 나까무라 이전에 이자무 아카사키라는 분이 e-beam을 때려주어서 Mg-H 결합을 끊어 p-type을 만들었습니다. 나까무라가 p-GaN의 역활을 한것은 Mg-H 관한 원인을 알게 해주었고 e-beam보다 간단하게 열처리만을 통해서 p-GaN을 만든것입니다. |