| [ KAIST ] in KIDS 글 쓴 이(By): toki (토끼__) 날 짜 (Date): 2002년 1월 31일 목요일 오전 01시 30분 06초 제 목(Title): Re: [퍼옴] 나까무라 슈우지의 '생각하는 � Buffer layer 아닌가요? low-temp에서 기른.. 하나 덧붙이면... GaN의 격자 상수도 문제지만 실제 디바이스를 만들때 또 문제가 된 것은 p-type doping이 안된다는 거였답니다. (기본적으로 LED는 pn-junction이니까요..) 이게 발목을 잡는 바람에 II-VI가 한때 대세를 잡는 것처럼 보였는데.... 태생적으로 II-VI는 bonding strength가 방출되는 photon energy와 비슷한 order니 lattice가 견뎌나질 못하는 문제가 발생하지요. (즉, 수명이 얼마 안된다는 겁니다) 여기에 비해 III-V nitride는 bonding strength가 몇배나 크기 때문에 장시간 동작하는 디바이스가 나올 수 있으리라 예측은 되지만 위에서 얘기한 p-type doping의 어려움 때문에 진전이 없다가 MOCVD를 이용한 2-flow method, p-type dopant로 Mg를 사용한느 breakthrough가 나오게 되었고 그 장본인이 나까무라라는 겁니다. 그결과.. 디지탈좃선의 삐까삐까한 full-color전광판을 아주 흔히 볼 수 있게 되었답니다. 앞으로의 이슈.. 과연 GaN-based material에서 red를 뽑아낼 수 있을까요? |