| [ Teach ] in KIDS 글 쓴 이(By): whajinpo (백조의호수) 날 짜 (Date): 1996년03월23일(토) 21시49분10초 KST 제 목(Title): [참고] "EDO RAM" 에 관하여.... 안녕하세요? EDO RAM에 대해 간단히 말씀을 드립니다. EDO RAM은 Extended Data Output Random Access Memory의 약자로서 기존의 D-RAM의 출력기회를 대폭 늘려, 같은 조건에서 더 많은 정보를 출력할수 있는 램 입니다. DRAM에서는 어떤 특정 어드레스를 억세스 하고자 할때 어드레스를 두가지 - 즉 row 어드레스와 column 어드레스 - 보내야 됩니다. 이 두가지를 보낼때 어드레스가 보내진다는 것을 알려주는 신호가 있는데, 각각 RAS(row address strobe)와 CAS(column address strobe)라고 합니다. 데이터가 읽혀지는 순서를 보면 RAS와 row 어드레스가 보내지고, 그 다음에 CAS와 column 어드레스가 보내집니다(왜냐하면 하나의 어드레스버스를 사용하므로). 그런데 문제는 CAS가 뜨고 나서 데이터가 읽혀지기는 하는데 CAS 신호가 사라지면 데이터도 같이 사라진 다는 것입니다. 다시말하면 실제로 데이터를 읽을 수 있는 순간은 CAS가 있는 동안만입니다. 그래서 DRAM의 읽는 싸이클을 줄일려고 해도 줄일수가 없습니다. 그러나 EDO DRAM은 데이터 출력단에 latch를 달아서 데이터가 다음 CAS가 다시 뜰때까지 계속 유지가 됩니다. 그래서 읽는 사이클을 서로 중첩을 시켜서 읽기 사이클을 1클럭정도를 줄일수 있게 됩니다. 특수하게 캐쉬등의 로직같은 것은 없이 약간의 개량으로 속도향상을 얻는 회로구성을 갖고 있는 것입니다. 즉, EDO DRAM은 CAS와 데이타 출력 타이밍을 약간 바꾼 보통 사용되는 페이지-모드(Fast Page-mode) DRAM이 변형된 DRAM의 한 형태입니다. EDO DRAM과 Fast Page-mode DRAM의 타이밍 사이클: (1) Standard Page-Mode DRAM Timing/Data CAS -----\ /-----\ /-----\ /----- \_____/ \_____/ \_____/ DATA(out) ------<VALID>-------<VALID>-------<VALID>----- (2) EDO DRAM TIMING/DATA CAS -----\ /-----\ /-----\ /----- \_____/ \_____/ \_____/ DATA(out) ------<<<< VALID >>>><<< VALID >>>><<<< VALID >> 이 타이밍 사이클에서 나타낸 바와 같이 보통사용되는 페이지 모드 디램은 CAS 신호가 올라가는 동안에만 유효(VALID)하고, EDO DRAM의 데이타는 CAS의 완전한 싸이클동안 유효합니다. 그러므로, EDO DRAM의 CAS 타이밍은 주어진 시간동안에 더 많은 데이타를 출력할 수 있게 하는 것입니다. EDO 디램을 사용함으로써, CPU와 메모리 사이의 밴드위드쓰(Bandwidth)는 100MB/S 에서 200MB/S 정도로 증가합니다. 현재 EDO DRAM은 page mode DRAM 에 비해 5%정도 비싸나, DRAM 제조회사에서는 EDO DRAM의 출하가를 Page-mode DRAM과 같은 가격으로 판매할 것이라는 발표도 있었습니다. 시중에는 두 종류 모두 72핀 SIMM 모듈로 나와있으며, 그냥 눈으로 봐서는 크기등을 구별할 수 없으며 사용자는 두 종류의 DRAM 모듈을 원하는것으로 SIMM 소켓에 꽂아 사용할 수 있습니다. EDO DRAM 구별법: 램모듈에 꽂혀있는 DRAM소자 자체의 표면에 쓰여있는 번호가 *******W4-6이라고 되어 있으면 EDO DRAM입니다(물론 제조회사에 따라 이것은 다를수도 있습니다). '-' 앞에 있는 숫자가 4이면 EDO DRAM을 나타내고, '-'기호 뒤의 숫자가 6이면 60ns(램의 접속속도를 나타내는 시간으로서 나노초)이고 7이면 70ns를 나타냅니다. EDO DRAM을 지원해 주는 주기판인 경우, 컴퓨터를 부팅하시면 EDO DRAM이 꽂혀있으면 바이오스(BIOS)에서 뱅크에 EDO DRAM이 있다고 나옵니다. 뱅크관리항을 봐주시면 쉽게 알수 있습니다. DRAM 모듈의 정품과 비품 구별법: 시중에 판매되고 있는 메모리 모듈은 정품과 비품이 팔리고 있습니다. 정품이란 메모리소자(여기서는 DRAM을 말함)를 생산하는 회사에서 메모리 모듈을 생산하여 판매되는 것이며, 비품이란 메모리 생산회사에서 제조하지 않은 메모리 모듈을 말합니다. 정품과 비품의 성능차이는 없다고 봐야하나, 비품인 경우에는 메모리 모듈 제조상 메모리 모듈의 기판과 메모리소자의 납땜부분이 불량할 수도 있습니다. 정품은 메모리 모듈의 기판 모서리가 매끄럽게 다듬질이 되어 있으며, 비품인 경우에는 기판의 모서리 부분이 약간 거칠면서 껄끄럽게 되어 있는 것이 보통입니다. 정품은 제조회사에서 제조되는 고유번호(serial number)가 메모리 모듈의 기판에 각인되어 있으며, 비품인 경우는 이런 고유번호가 없습니다. EDO DRAM과 Page mode DRAM의 간단한 성능비교: PCI/I-P54TP4 with 100Mhz Pentium System A with 16 MB of EDO DRAM & Piplelined Burst 256K SRAM System B with 16 MB of EDO DRAM & Async 256K RAM System C with 16 MB of Page Mode DRAM & Pipelined Burst SRAM System D with 16 MB of Page Mode DRAM & Async 256K RAM Winstone 95 WinMark DOSMark System A 151.7 49.9 1510.07 System B 138.7 43.5 1450.26 System C 150.2 49.2 1509.31 System D 138.1 43.5 1449.33 성능비교에 사용된 시스템 사양: ASUS PCI/I-P54TP4 ATI Mach 64 2Meg. VRAM Conner FA1275A Mode 4 HD 참고: 위의 결과에서 볼 수 있듯이 EDO DRAM을 PBC(Piplined Burst Cashe RAM)과 사용하면 성능향상이 이루어 진다는 것을 알 수 있습니다. --------------- * ------------------- * -------------------- * ---------- 이상으로 제가 알고 있는 것을 적었습니다만, 혹 잘못된 부분이 있으면 정정하거나 보충설명을 해주시면 감사하겠습니다. |