| [ KAIST ] in KIDS 글 쓴 이(By): Gatsbi (궁금이) 날 짜 (Date): 2003년 11월 6일 목요일 오전 09시 44분 20초 제 목(Title): [p] 또 성장한 무어의 법칙 또 성장한 Moore’s Law…인텔 신기술 개발 인텔은 장래의 트랜지스터 개발에 대해서 소비 전력과 발열의 과제를 극복하는 신재료를 개발했다고 발표했다. 이 신재료를 사용하는 것으로 트랜지스터 소형화와 고성능이 실현된다. 미국 인텔의 인텔 펠로우 겸 기술·제조 본부의 트랜지스터·리서치 디렉터인 Robert S. Chau는 "무어의 법칙 유효성이 10년 계속 된다"고 말했다. Chau에 따르면, 신재료를 사용한 트랜지스터는 2007년에 양산화될 전망이다. 현재의 반도체 산업에서는 트랜지스터의 소형화, 집적화가 진행되면서, 트랜지스터 내에서 전류가 새어 발열하거나 회로에 노이즈를 주는 “리크 전류”라고 하는 현상이 문제시되고 있다. 현행 기술은 트랜지스터 내를 절연하기 위한 이산화 실리콘의 박막을 이용하고 있지만, 트랜지스터의 소형화로 이산화 실리콘의 두꺼움은 원자 몇 개 분으로 되어 있다. 극한까지 달한 이산화 실리콘의 박막화로 완전한 절연이 어려워져 리크 전류가 발생하고 있다. 인텔은 이산화 실리콘 박막 대신에 이용할 수 있는 신재료로서 '고유전율 게이트 절연재'(High-k)를 개발했다. High-k는 리크 전류를 삭감할 수 있는 두께와 트랜지스터 성능을 향상시키는 높은 유전율을 가지는 물질이다. 인텔에 따르면, High-k는 이산화 실리콘에 비해 리크 전류를 100분의 1 이하에 억제해 소비 전력, 발열을 억제하면서도 고성능을 실현할 수 있다. 그러나 현행의 트랜지스터에서 High-k를 도입하는 것은 어렵다. 고유전율의 High-k를 사용하면, 트랜지스터의 스윗치 전압이 상승하거나 전자의 흐름이 정체하는 등 문제가 확인됐기 때문이다. 이 때문에 인텔은 High-k를 사용하면서도 이 문제를 회피하는 새로운 재료 '메탈·게이트'를 개발했다. High-k와 메탈·게이트를 병용함으로써 트랜지스터의 소형화, 집적화가 한층 더 가능하게 된다. 프로세서 개발이 고도화됨에 따라, vender에 의한 기술개발, 공장 투자도 증가하는 경향이 있다. 체력이 없는 vender는 기술 트랜드를 쫓는 것이 어려워져, 고객의 지지를 잃을 가능성이 있다. 인텔의 이사 개발·제조 기술 본부장인 조 코지는 앞으로의 트랜지스터, 프로세서 개발에 대해 "기초 개발로부터 양산까지 수직에 업무를 가져, 고객의 다양한 요구에 대답할 수가 있는 vender가 가장 유리하다"고 말하면서 인텔의 기술에 자신감을 보였다. 정보출처 (http://www.atmarkit.co.jp/news/200311/06/intel.html) 발행일 20031105 발행국가 JAPAN 원문언어 Japanese 등록일 2003/11/05 ^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^#####^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^ ^ 진리는 단순하고 진실은 소박하다. |.-o| ^ ㄴ[ L ]ㄱ ^ (~) ^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^ |