| [ KAIST ] in KIDS 글 쓴 이(By): sibi (away) 날 짜 (Date): 2002년 1월 30일 수요일 오후 10시 49분 41초 제 목(Title): Re: [퍼옴] 나까무라 슈우지의 '생각하는 � 박막을 growth하는 분들은 잘 아는 문제이지만.. 박막을 growth 잘 하기 위해서는 우선 박막과 격자 상수상수가 크지 않은 single crystal 기판을 쓰야 됩니다. 가령..GaAs(InGaAs, AlGaAs 등등) 관련 박막들은 격자상수 차이가 얼마 안되는 GaAs single crystal을 쓰면 됩니다. blue LED를 이루는 박막의 근간이 되는 GaN 같은 경우는 GaN single crystal 기판이 없습니다. 나까무라 슈우지 이전 사람들이 그나마 비슷한. sapphire(Al2O3)니 SiC single crystal 기판을 이용했지만.. 그 위의 GaN 박막이 질이 무척 안 좋았습니다. 그래서 사람들이 SiC 계열이나 ZnSe를 blue의 재료로써 사용을 할려는 노력을 했는데요.. SiC는 band gap의 구조가 indirect transition이라는 빛의 효율을 떨어뜨리는 치명적인 약점이 ZnSe 같은 경우는 현재 blue LED를 만드는 GaN의 박막 quality보다 훨씬 좋음에도 불구하고..수명이 엄청 짧다는 단점이 있습니다. 이에 비해 나까무라는 sapphire를 기판으로 하여 GaN 박막을 성장시킬때 GaN과 sapphire 사이에 LT-GaN을 growing하는 공정을 개발하여 GaN의 qualtiy를 높이는 일을 했습니다. |