| [ KAIST ] in KIDS 글 쓴 이(By): sibi (away) 날 짜 (Date): 2000년 9월 14일 목요일 오후 12시 54분 11초 제 목(Title): [질문] C-V vs Hall measurement 공정후 sample의 carrier concentration과 mobility를 측정하려고 합니다. 어떤쪽이 빠르게 측정 가능하고 물리적으로 이해하기 쉬울까요? 문제점들을 든다면.. 1. 2 inch wafer를 쓰므로 측정하기 위해서 sample을 짤라야 하는가? 2. metal contact에 경우.. C-V의 경우는 shocky contact이 되어야 하고 hall의 경우는 ohmic이 되어야 한다고 알고 있습니다. (하지만 표면의 열처리나 metal 종류에 따라 contact 저항이 바뀌는 문제가 생길수 있을껀데 이런것들이 concetration이나 mobility의 측정값에 어떤식으로 영향을 끼치는가?) 3. metal을 입힐때 patterning을 해야 하는가? 이건 C-V가 불리하다는 생각이 듭니다. 제가 Hall 측정만 해보았는데요. Hall의 경우는 metal을 보통 indium으로 쓰기 때문에 4 point에 찍찍 누르기만 하면 되거든요. --------------- 부탁드립니다. ^^ |